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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
SBRT3U40P1-7

SBRT3U40P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT3U40P1-7
  • 封装规格Power-DI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 420mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 30uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT3U40P1-7
  • PDF SBRT3U40P1-7.pdf
SBRT15U100SP5-13

SBRT15U100SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT15U100SP5-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 640mV@15A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 40uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT15U100SP5-13
  • PDF SBRT15U100SP5-13.pdf
SBR12U100P5-13

SBR12U100P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR12U100P5-13
  • 封装规格PowerDI5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 12A 反向电流(Ir) 250uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR12U100P5-13
  • PDF SBR12U100P5-13.pdf
SBR130S3-7

SBR130S3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR130S3-7
  • 封装规格SOD-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 460mV@1A 直流反向耐压(Vr) 30V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 50uA@30V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-323 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR130S3-7
  • PDF SBR130S3-7.pdf
SBR1045CTL-13

SBR1045CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1045CTL-13
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 550mV@5A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 500uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252-2(DPAK) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1045CTL-13
  • PDF SBR1045CTL-13.pdf
SBR2U60S1F-7

SBR2U60S1F-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2U60S1F-7
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 510mV@2A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 150uA@60V 工作温度 -55°C ~ 175°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2U60S1F-7
  • PDF SBR2U60S1F-7.pdf
SBR2065D1-13

SBR2065D1-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2065D1-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 630mV@20A 直流反向耐压(Vr) 65V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 400uA@65V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 TO-252 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2065D1-13
  • PDF SBR2065D1-13.pdf
SBR0560S1Q-7

SBR0560S1Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR0560S1Q-7
  • 封装规格SOD-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500mV@500mA 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 500mA 反向电流(Ir) 100uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR0560S1Q-7
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SBR1U200P1-7

SBR1U200P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1U200P1-7
  • 封装规格Power-DI-123-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 750mV@1A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 50uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 Power-DI-123-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1U200P1-7
  • PDF SBR1U200P1-7.pdf
SBR2U30P1-7

SBR2U30P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2U30P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 360mV@2A 直流反向耐压(Vr) 30V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 150uA@30V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2U30P1-7
  • PDF SBR2U30P1-7.pdf
SBR2M60S1F-7

SBR2M60S1F-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2M60S1F-7
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 700mV@2A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 800nA@60V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2M60S1F-7
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SBR02U100LP-7

SBR02U100LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR02U100LP-7
  • 封装规格DFN-2(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 760mV@200mA 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 250mA 反向电流(Ir) 40nA@75V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DFN-2(0.6x1) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR02U100LP-7
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SBR1A40S3-7

SBR1A40S3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1A40S3-7
  • 封装规格SOD-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 550mV@1A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 100uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-323 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1A40S3-7
  • PDF SBR1A40S3-7.pdf
SBR2A40P1Q-7

SBR2A40P1Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2A40P1Q-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 450mV@2A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 16uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2A40P1Q-7
  • PDF SBR2A40P1Q-7.pdf
SBR15U100CTL-13

SBR15U100CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR15U100CTL-13
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 800mV@7.5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 7.5A 反向电流(Ir) 80uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-252-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR15U100CTL-13
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SBRT20U60SP5-7

SBRT20U60SP5-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT20U60SP5-7
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 480mV@20A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 100uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT20U60SP5-7
  • PDF SBRT20U60SP5-7.pdf
SBR1045CTLQ-13

SBR1045CTLQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1045CTLQ-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 550mV@5A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 300uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1045CTLQ-13
  • PDF SBR1045CTLQ-13.pdf
SBR3U40S1FQ-7

SBR3U40S1FQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U40S1FQ-7
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 180uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U40S1FQ-7
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SBR5E60P5-13

SBR5E60P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR5E60P5-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 450mV@5A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 220uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR5E60P5-13
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SBR2U150SA-13

SBR2U150SA-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2U150SA-13
  • 封装规格SMA(DO-214AC)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 800mV@2A 直流反向耐压(Vr) 150V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 75uA@150V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 SMA(DO-214AC) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2U150SA-13
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