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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
SBR20A300CT

SBR20A300CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A300CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 920 mV @ 10 A 直流反向耐压(Vr) 300 V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100 µA @ 300 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20A300CT
  • PDF SBR20A300CT.pdf
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SBR6100CTLQ-13

SBR6100CTLQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR6100CTLQ-13
  • 封装规格TO-252(DPAK)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 740 mV @ 3 A 直流反向耐压(Vr) 100 V 平均整流电流(Io) 6A 反向电流(Ir) 100 µA @ 100 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252(DPAK) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR6100CTLQ-13
  • PDF SBR6100CTLQ-13.pdf
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SBR3U40S1F-7

SBR3U40S1F-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U40S1F-7
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490 mV @ 3 A 直流反向耐压(Vr) 40 V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 180 µA @ 40 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U40S1F-7
  • PDF SBR3U40S1F-7.pdf
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SBR30200CT

SBR30200CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30200CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 980 mV @ 15 A 直流反向耐压(Vr) 200 V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 100 µA @ 200 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30200CT
  • PDF SBR30200CT.pdf
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SBR05M100BLP-7

SBR05M100BLP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR05M100BLP-7
  • 封装规格DFN-4(3x3)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 670mV@500mA 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 500mA 反向电流(Ir) 300nA@100V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 封装 DFN-4(3x3) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR05M100BLP-7
  • PDF SBR05M100BLP-7.pdf
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SBR10U45D1-13

SBR10U45D1-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U45D1-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 570mV@10A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 500uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U45D1-13
  • PDF SBR10U45D1-13.pdf
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SBR30A45CT

SBR30A45CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A45CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500mV@15A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 500uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A45CT
  • PDF SBR30A45CT.pdf
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SBR30A60CT

SBR30A60CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A60CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 600 mV @ 15 A 直流反向耐压(Vr) 60 V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 500 µA @ 60 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A60CT
  • PDF SBR30A60CT.pdf
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