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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
2N7002-7-F

2N7002-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002-7-F 系列 2N7002
  • PDF 2N7002-7-F.pdf
2N7002K-7

2N7002K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 380mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002K-7 系列 2N7002K
  • PDF 2N7002K-7.pdf
DMG1012T-7

DMG1012T-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1012T-7
  • 封装规格SOT-523-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 630mA 功率(Pd) 280mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@4.5V,600mA 封装 SOT-523-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1012T-7 系列 DMG1012T
  • PDF DMG1012T-7.pdf
DMP3099L-7

DMP3099L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3099L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3099L-7 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-7.pdf
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A13FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,600mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A13FTA 系列 ZXMP10A13F
  • PDF ZXMP10A13FTA.pdf
BSS138-7-F

BSS138-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138-7-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-7-F.pdf
BSS123-7-F

BSS123-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123-7-F 系列 BSS123
  • PDF BSS123-7-F.pdf
DMG3415U-7

DMG3415U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3415U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 900mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3415U-7 系列 DMG3415U
  • PDF DMG3415U-7.pdf
DMG2302UK-7

DMG2302UK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2302UK-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2302UK-7 系列 DMG2302UK
  • PDF DMG2302UK-7.pdf
DMP3056L-7

DMP3056L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 1.38W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056L-7 系列 DMP3056L
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2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002DW-7-F
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002DW-7-F 系列 2N7002DW
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BSS138W-7-F

BSS138W-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138W-7-F
  • 封装规格SC-70-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SC-70-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138W-7-F 系列 BSS138W
  • PDF BSS138W-7-F.pdf
DMN3404L-7

DMN3404L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3404L-7
  • 封装规格
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3404L-7 系列 DMN3404L
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DMP1045U-7

DMP1045U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1045U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1045U-7 系列 DMP1045U
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DMG2305UX-13

DMG2305UX-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2305UX-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2305UX-13 系列 DMG2305UX
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DMG2305UX-7

DMG2305UX-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2305UX-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2305UX-7 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-7.pdf
DMP3098L-7

DMP3098L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098L-7 系列 DMP3098L
  • PDF DMP3098L-7.pdf
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4051LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.2A 功率(Pd) 2.14W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4051LK3-13 系列 DMP4051LK3
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2N7002KQ-7

2N7002KQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002KQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 380mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002KQ-7 系列 2N7002KQ-7
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DMP6023LE-13

DMP6023LE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LE-13
  • 封装规格SOT-223-4
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7A;18.2A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A 封装 SOT-223-4 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LE-13 系列 DMP6023LE
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