关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
1N60L-T92-K DMG3404L-7 2N7002Q-7-F DMP2066LSN-7 DMN3150L-7
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 品牌 > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3013SFV-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 12A；35A 功率(Pd) 940mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3013SFV-7 系列 DMP3013SFV
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
在线咨询
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1012UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 290mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1012UW-7 系列 DMG1012UW
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
在线咨询
DMP6350S-7

DMP6350S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6350S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6350S-7 系列 DMP6350S
  • PDF DMP6350S-7.pdf
在线咨询
DMP4065S-7

DMP4065S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4065S-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3.3A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4065S-7 系列 DMP4065S
  • PDF DMP4065S-7.pdf
在线咨询
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MMBF170-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) MMBF170-7-F 系列 MMBF170
  • PDF MMBF170-7-F.pdf
在线咨询
DMG2301L-7

DMG2301L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2301L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.5W 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2301L-7 系列 DMG2301L
  • PDF DMG2301L-7.pdf
在线咨询
BSS84-7-F

BSS84-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84-7-F 系列 BSS84
  • PDF BSS84-7-F.pdf
在线咨询
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN26D0UFB4-7
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装  DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN26D0UFB4-7 系列 DMN26D0UFB4
  • PDF DMN26D0UFB4-7.pdf
在线咨询
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002T-7-F
  • 封装规格SOT-523
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 150mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装  SOT-523场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002T-7-F 系列 2N7002T
  • PDF 2N7002T-7-F.pdf
在线咨询
BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138DW-7-F
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138DW-7-F 系列 BSS138DW
  • PDF BSS138DW-7-F.pdf
在线咨询
BSS127S-7

BSS127S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS127S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 电流 50mA 功率(Pd) 610mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160Ω@10V,16mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS127S-7 系列 BSS127S
  • PDF BSS127S-7.pdf
在线咨询
2N7002W-7-F

2N7002W-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002W-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002W-7-F 系列 2N7002W
  • PDF 2N7002W-7-F.pdf
在线咨询
BSN20-7

BSN20-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSN20-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 600mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.8Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSN20-7 系列 BSN20
  • PDF BSN20-7.pdf
在线咨询
DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6075S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6075S-7 系列 DMN6075S
  • PDF DMN6075S-7.pdf
在线咨询
DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SSD-13 系列 DMN6040SSD
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
在线咨询
DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6140L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6140L-13 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-13.pdf
在线咨询
DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 810mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035U-7 系列 DMP2035U
  • PDF DMP2035U-7.pdf
在线咨询
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84W-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84W-7-F 系列 BSS84W
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
在线咨询
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 310mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8L-7 系列 DMN65D8L
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
在线咨询
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H220L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H220L-7 系列 DMN10H220L
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
在线咨询
共528记录«上一页12345...27下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有