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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP4015SK3Q-13

DMP4015SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4015SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 14A;35A 功率(Pd) 3.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4015SK3Q-13 系列 DMP4015SK3Q
  • PDF DMP4015SK3Q-13.pdf
DMG1013T-7

DMG1013T-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1013T-7
  • 封装规格SOT-523
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 460mA 功率(Pd) 270mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 700mΩ@4.5V,350mA 封装 SOT-523 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1013T-7 系列 DMG1013T
  • PDF DMG1013T-7.pdf
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN13H750S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 130V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 770mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 750mΩ@10V,2A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN13H750S-7 系列 DMN13H750S
  • PDF DMN13H750S-7.pdf
DMP2165UW-7

DMP2165UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2165UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 500mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,1.5A 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2165UW-7 系列 DMP2165UW
  • PDF DMP2165UW-7.pdf
DMG6968U-7

DMG6968U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6968U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6968U-7 系列 DMG6968U
  • PDF DMG6968U-7.pdf
BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84DW-7-F
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装  SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84DW-7-F 系列 BSS84DW
  • PDF BSS84DW-7-F.pdf
DMN2005K-7

DMN2005K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2005K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@100uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.7Ω@2.7V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2005K-7 系列 DMN2005K
  • PDF DMN2005K-7.pdf
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A17GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A17GTA 系列 ZXMP6A17GTA
  • PDF ZXMP6A17GTA.pdf
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP3310FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 75mA 功率(Pd) 330mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20Ω@10V,150mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP3310FTA 系列 ZVP3310FTA
  • PDF ZVP3310FTA.pdf
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1013UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 820mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1013UW-7 系列 DMG1013UW
  • PDF DMG1013UW-7.pdf
DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4047LFDE-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 3.3A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 33mΩ@10V,4.4A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4047LFDE-7 系列 DMP4047LFDE
  • PDF DMP4047LFDE-7.pdf
DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2022LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 2.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2022LSS-13 系列 DMP2022LSS
  • PDF DMP2022LSS-13.pdf
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHT6016LFJ-13
  • 封装规格DFN-12(4.5x5)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 14.8A 功率(Pd) 1.16W 沟道 4个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A 封装 DFN-12(4.5x5) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHT6016LFJ-13 系列 DMHT6016LFJ
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP510DL-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP510DL-7 系列 DMP510DL
  • PDF DMP510DL-7.pdf
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 350mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8L-7 系列 DMN63D8L
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
BS250P

BS250P-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS250P
  • 封装规格TO-92L
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 45V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 TO-92L 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS250P 系列 BS250P
  • PDF BS250P.pdf
DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6140L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6140L-7 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-7.pdf
2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002A-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@5V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002A-7 系列 2N7002A
  • PDF 2N7002A-7.pdf
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN67D8L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 210mA 功率(Pd) 340mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN67D8L-7 系列 DMN67D8L
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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6602SVT-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA 电流 3.4A;2.8A 功率(Pd) 840mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@3.1A,10V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6602SVT-7 系列 DMG6602SVT
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
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