关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
1N60L-T92-K DMG3404L-7 2N7002Q-7-F DMP2066LSN-7 DMN3150L-7
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 品牌 > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.3A；6A 功率(Pd) 2W；13.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SE-13 系列 DMP10H400SE
  • PDF DMP10H400SE-13.pdf
在线咨询
BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS8402DW-7-F
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V；50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA；2V@1mA 电流 115mA；130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 1个N;1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.2Ω@5V,0.05A；10Ω@5V,0.1A 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS8402DW-7-F 系列 BSS8402DW
  • PDF BSS8402DW-7-F.pdf
在线咨询
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 310mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0L-7 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
在线咨询
DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3402L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@10V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3402L-7 系列 DMG3402L
  • PDF DMG3402L-7.pdf
在线咨询
DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3023L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3023L-7 系列 DMN3023L
  • PDF DMN3023L-7.pdf
在线咨询
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 9A 功率(Pd) 42W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 240mΩ@10V,5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SK3-13 系列 DMP10H400SK3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
在线咨询
DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2056U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 940mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2056U-7 系列 DMN2056U
  • PDF DMN2056U-7.pdf
在线咨询
DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2305U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2305U-7 系列 DMP2305U
  • PDF DMP2305U-7.pdf
在线咨询
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1019USN-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA 电流 9.3A 功率(Pd) 680mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@4V,9.7A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1019USN-7 系列 DMN1019USN
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
在线咨询
DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2120U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 62mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2120U-7 系列 DMP2120U
  • PDF DMP2120U-7.pdf
在线咨询
DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3415UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 900mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3415UQ-7 系列 DMG3415UQ
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
在线咨询
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC3025LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6A；4.2A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC3025LSD-13 系列 DMHC3025LSD
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
在线咨询
ZVN3320FTA

ZVN3320FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3320FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 60mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25Ω@10V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3320FTA 系列 ZVN3320FTA
  • PDF ZVN3320FTA.pdf
在线咨询
DMG2302U-7

DMG2302U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2302U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@50uA 电流 4.2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2302U-7 系列 DMG2302U
  • PDF DMG2302U-7.pdf
在线咨询
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0L-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0L-7 系列 DMN53D0L
  • PDF DMN53D0L-7.pdf
在线咨询
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN26D0UT-7
  • 封装规格SOT-523-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装 SOT-523-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN26D0UT-7 系列 DMN26D0UT
  • PDF DMN26D0UT-7.pdf
在线咨询
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61N03FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@10V,910mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61N03FTA 系列 ZXM61N03FTA
  • PDF ZXM61N03FTA.pdf
在线咨询
DMP2045U-7

DMP2045U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2045U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2045U-7 系列 DMP2045U
  • PDF DMP2045U-7.pdf
在线咨询
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123W-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装  SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123W-7-F 系列 BSS123W
  • PDF BSS123W-7-F.pdf
在线咨询
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN24H3D5L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 240V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 480mA 功率(Pd) 760mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN24H3D5L-7 系列 DMN24H3D5L
  • PDF DMN24H3D5L-7.pdf
在线咨询
共528记录«上一页123456...27下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有