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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
SBR20U150CT

SBR20U150CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20U150CT
  • 封装规格ITO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 780 mV @ 10 A 直流反向耐压(Vr) 150 V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 500 µA @ 150 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装  ITO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20U150CT
  • PDF SBR20U150CT.pdf
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SBR20A100CT

SBR20A100CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A100CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 750mV@10A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR20A100CT
  • PDF SBR20A100CT.pdf
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SBR30A60CTFP

SBR30A60CTFP-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A60CTFP
  • 封装规格TO-220-3-FP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 600mV@15A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 500uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220-3-FP 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A60CTFP
  • PDF SBR30A60CTFP.pdf
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SBR160S23-7

SBR160S23-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR160S23-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 530 mV @ 750 mA 直流反向耐压(Vr) 60 V 平均整流电流(Io) 900mA 反向电流(Ir) 100 µA @ 45 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOT-23 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR160S23-7
  • PDF SBR160S23-7.pdf
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SBR30A120CT

SBR30A120CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A120CT
  • 封装规格TO-220AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 830 mV @ 15 A 直流反向耐压(Vr) 120 V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 100 µA @ 120 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A120CT
  • PDF SBR30A120CT.pdf
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SBR3A40SAF-13

SBR3A40SAF-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3A40SAF-13
  • 封装规格DO-214AD
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 530mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 400uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DO-214AD 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3A40SAF-13
  • PDF SBR3A40SAF-13.pdf
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SBR20A200CT

SBR20A200CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A200CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 860mV@10A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20A200CT
  • PDF SBR20A200CT.pdf
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SBR10U60CTFP

SBR10U60CTFP-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U60CTFP
  • 封装规格ITO-220AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 620mV@10A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 500uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 ITO-220AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U60CTFP
  • PDF SBR10U60CTFP.pdf
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SBR0240LP-7

SBR0240LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR0240LP-7
  • 封装规格DFN-2(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490mV@200mA 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 250mA 反向电流(Ir) 600nA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DFN-2(0.6x1) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR0240LP-7
  • PDF SBR0240LP-7.pdf
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SBR10100CTFP

SBR10100CTFP-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10100CTFP
  • 封装规格ITO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 800mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 ITO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10100CTFP
  • PDF SBR10100CTFP.pdf
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SBR660CTL-13

SBR660CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR660CTL-13
  • 封装规格TO-252(DPAK)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 570mV@3A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 500uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252(DPAK) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR660CTL-13
  • PDF SBR660CTL-13.pdf
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SBR10200CTFP

SBR10200CTFP-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10200CTFP
  • 封装规格ITO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 900mV@5A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@200V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 ITO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10200CTFP
  • PDF SBR10200CTFP.pdf
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SBR10100CTL-13

SBR10100CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10100CTL-13
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 840mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 200uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-252-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10100CTL-13
  • PDF SBR10100CTL-13.pdf
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SBR30A100CTB

SBR30A100CTB-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A100CTB
  • 封装规格TO-263AB(D2PAK)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 850 mV @ 15 A 直流反向耐压(Vr) 100 V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 100 µA @ 100 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-263AB(D2PAK) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A100CTB
  • PDF SBR30A100CTB.pdf
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SBRT3U40P1Q-7

SBRT3U40P1Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT3U40P1Q-7
  • 封装规格Power-DI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 180uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT3U40P1Q-7
  • PDF SBRT3U40P1Q-7.pdf
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SBR1A40S1

SBR1A40S1-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1A40S1
  • 封装规格SOD-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 520 mV @ 1 A 直流反向耐压(Vr) 40 V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 200 µA @ 40 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR1A40S1
  • PDF SBR1A40S1.pdf
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SBR2A40P1-7

SBR2A40P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2A40P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500 mV @ 2 A 直流反向耐压(Vr) 40 V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 100 µA @ 40 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2A40P1-7
  • PDF SBR2A40P1-7.pdf
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SBR20A200CTB-13

SBR20A200CTB-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A200CTB-13
  • 封装规格TO-263AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 960 mV @ 20 A 直流反向耐压(Vr) 200 V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100 µA @ 200 V 工作温度 65°C ~ 175°C 封装 TO-263AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20A200CTB-13
  • PDF SBR20A200CTB-13.pdf
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SBR20A150CT

SBR20A150CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A150CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 820 mV @ 10 A 直流反向耐压(Vr) 150 V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100 µA @ 150 V 工作温度 65°C ~ 175°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20A150CT
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SBR3U100LP-7

SBR3U100LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U100LP-7
  • 封装规格DFN-8(3x3)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 790mV@3A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 16uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DFN-8(3x3) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U100LP-7
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