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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
SBRT20M60SP5-7

SBRT20M60SP5-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT20M60SP5-7
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 520mV@20A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 40uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBRT20M60SP5-7
  • PDF SBRT20M60SP5-7.pdf
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SBR1U400P1-7

SBR1U400P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1U400P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 820mV@1A 直流反向耐压(Vr) 400V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 50uA@400V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1U400P1-7
  • PDF SBR1U400P1-7.pdf
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SBR40U100CT

SBR40U100CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR40U100CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 720mV@20A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 40A 反向电流(Ir) 50uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR40U100CT
  • PDF SBR40U100CT.pdf
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SBR1U150SA-13

SBR1U150SA-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1U150SA-13
  • 封装规格SMA
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 700mV@1A 直流反向耐压(Vr) 150V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 100uA@150V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SMA 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1U150SA-13
  • PDF SBR1U150SA-13.pdf
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SBR1045SP5-13

SBR1045SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1045SP5-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 490mV@10A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 30uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1045SP5-13
  • PDF SBR1045SP5-13.pdf
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SBR3A40SAQ-13

SBR3A40SAQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3A40SAQ-13
  • 封装规格SMA
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 480mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 400uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SMA 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3A40SAQ-13
  • PDF SBR3A40SAQ-13.pdf
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SBR1U200P1Q-7

SBR1U200P1Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1U200P1Q-7
  • 封装规格Power-DI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 750mV@1A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 50uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 Power-DI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1U200P1Q-7
  • PDF SBR1U200P1Q-7.pdf
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SBR8A45SP5-13

SBR8A45SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8A45SP5-13
  • 封装规格Power-DI-5-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 600mV@8A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 30uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR8A45SP5-13
  • PDF SBR8A45SP5-13.pdf
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SBR20U100CT

SBR20U100CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20U100CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 820mV@20A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 500uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20U100CT
  • PDF SBR20U100CT.pdf
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SBR545SAFQ-13

SBR545SAFQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR545SAFQ-13
  • 封装规格DO-214AD
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 560 mV @ 5 A 直流反向耐压(Vr) 45 V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200 µA @ 45 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DO-214AD 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR545SAFQ-13
  • PDF SBR545SAFQ-13.pdf
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SBR10100CTB

SBR10100CTB-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10100CTB
  • 封装规格TO-263AB(D2PAK)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 840 mV @ 5 A 直流反向耐压(Vr) 100 V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200 µA @ 100 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-263AB(D2PAK) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10100CTB
  • PDF SBR10100CTB.pdf
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SBR10U300CT

SBR10U300CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U300CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 920 mV @ 10 A 直流反向耐压(Vr) 300 V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200 µA @ 300 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U300CT
  • PDF SBR10U300CT.pdf
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SBR10100CT

SBR10100CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10100CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 800mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@100V 工作温度 -55°C ~ 200°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10100CT
  • PDF SBR10100CT.pdf
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SBR40U120CT

SBR40U120CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR40U120CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 860mV@20A 直流反向耐压(Vr) 120V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 500uA@120V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR40U120CT
  • PDF SBR40U120CT.pdf
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SBR10100CTB-13

SBR10100CTB-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10100CTB-13
  • 封装规格TO-263AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 840mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-263AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10100CTB-13
  • PDF SBR10100CTB-13.pdf
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SBR10U100CT

SBR10U100CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U100CT
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 670mV@5A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U100CT
  • PDF SBR10U100CT.pdf
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SBR10U200CT

SBR10U200CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U200CT
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 820mV@5A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 200uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-220AB-3 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR10U200CT
  • PDF SBR10U200CT.pdf
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SBR20A100CTFP

SBR20A100CTFP-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR20A100CTFP
  • 封装规格ITO-220AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 750mV@10A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@100V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 ITO-220AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR20A100CTFP
  • PDF SBR20A100CTFP.pdf
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SBR8A60P5-13

SBR8A60P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8A60P5-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 620 mV @ 8 A 直流反向耐压(Vr) 60 V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 500 µA @ 60 V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR8A60P5-13
  • PDF SBR8A60P5-13.pdf
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SBR30U30CT

SBR30U30CT-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30U30CT
  • 封装规格TO-220
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 540 mV @ 30 A 直流反向耐压(Vr) 30 V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 1.5 mA @ 30 V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-220 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30U30CT
  • PDF SBR30U30CT.pdf
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