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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH10H1M7STLW-13
  • 封装规格PowerDI1012-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 250A 功率(Pd) 6W；250W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2mΩ 封装 PowerDI1012-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH10H1M7STLW-13 系列 DMTH10H1M7STLW
  • PDF DMTH10H1M7STLW-13.pdf
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DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT3020LSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 16A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT3020LSDQ-13 系列 DMT3020LSDQ
  • PDF DMT3020LSDQ-13.pdf
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DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004DWK-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004DWK-7 系列 DMN2004DWK
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
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DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0UDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 350mA 功率(Pd) 320mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0UDW-7 系列 DMN62D0UDW
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
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DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SSDQ-13 系列 DMN6040SSDQ
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
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2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002AQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002AQ-7 系列 2N7002AQ
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
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ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61N03F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 1.4A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61N03F 系列 ZXM61N03F
  • PDF ZXM61N03F.pdf
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DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2053UVTQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.6A；3.2A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5V；74mΩ@3.5A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2053UVTQ-7 系列 DMC2053UVTQ
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D8LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 470mA 功率(Pd) 390mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.8Ω@150mA,5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D8LQ-7 系列 DMN61D8LQ
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS127SSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 电流 70mA 功率(Pd) 610mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80Ω@10V,16mA 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS127SSN-7 系列 BSS127SSN
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
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DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3007SCGQ-7
  • 封装规格V-DFN3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.8mΩ@11.5A,10V 封装 V-DFN3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3007SCGQ-7 系列 DMP3007SCGQ
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
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DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004WK-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 400mA 功率(Pd) 250mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@430mA,4.5V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004WK-7 系列 DMP2004WK
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
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DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3050LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.5A 功率(Pd) 1.8W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3050LVT-7 系列 DMP3050LVT
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
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DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2075UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 700mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 75mΩ@2.9A,4.5V 封装 U-DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2075UFDB-7 系列 DMP2075UFDB
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
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DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6023SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 35A 功率(Pd) 3.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 33mΩ@10A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6023SK3Q-13 系列 DMPH6023SK3Q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
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DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH8012LPSW-13
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 53.7A 功率(Pd) 3.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH8012LPSW-13 系列 DMTH8012LPSW
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2016UTS-13
  • 封装规格TSSOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 8.58A 功率(Pd) 880mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14.5mΩ@4.5V,9.4A 封装 TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2016UTS-13 系列 DMN2016UTS
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
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DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2070UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 830mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 44mΩ@2A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2070UQ-7 系列 DMP2070UQ
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
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DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D0U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 530mA 功率(Pd) 450mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@400mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D0U-7 系列 DMP31D0U
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ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP3A17E6TA
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.2A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP3A17E6TA 系列 ZXMP3A17E6TA
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