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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D7L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.6V@250uA 电流 580mA 功率(Pd) 430mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@420mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D7L-7 系列 DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LFG-13
  • 封装规格PowerDI-3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 PowerDI-3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LFG-13 系列 DMP6023LFG
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6B
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,2.8A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UFDB-7 系列 DMP2160UFDB
  • PDF DMP2160UFDB-7.pdf
DMC2450UV-7

DMC2450UV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2450UV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 1.03A;700mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 480mΩ@200mA,5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2450UV-7 系列 DMC2450UV
  • PDF DMC2450UV-7.pdf
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2002UPS-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 2.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.9mΩ@10V,25A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2002UPS-13 系列 DMP2002UPS
  • PDF DMP2002UPS-13.pdf
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A13GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 390mΩ@900mA,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A13GTA 系列 ZXMP6A13GTA
  • PDF ZXMP6A13GTA.pdf
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SPD-13
  • 封装规格PowerDI-8(5x6)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 -26A -23A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48m @ VGS = -10V 60m @ VGS = -4.5V 封装 PowerDI-8(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SPD-13 系列 DMPH6050SPD
  • PDF DMPH6050SPD-13.pdf
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN7022LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 75V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.8A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,7.2A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN7022LFG-7 系列 DMN7022LFG
  • PDF DMN7022LFG-7.pdf
ZVNL120A

ZVNL120A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVNL120A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,250mA 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVNL120A 系列 ZVNL120A
  • PDF ZVNL120A.pdf
DMG9926USD-13

DMG9926USD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG9926USD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 8A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG9926USD-13 系列 DMG9926USD
  • PDF DMG9926USD-13.pdf
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LFB-7B
  • 封装规格X1-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 430mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 X1-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LFB-7B 系列 DMN65D8LFB
  • PDF DMN65D8LFB-7B.pdf
DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3071LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 3.3A;4.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@3.5A,10V;95mΩ@3.8A,10V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3071LVT-7 系列 DMC3071LVT
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DMN6040SE-13

DMN6040SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@12A,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SE-13 系列 DMN6040SE
  • PDF DMN6040SE-13.pdf
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMC3A16DN8TA
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.9A;4.1A 功率(Pd) 1.25W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMC3A16DN8TA 系列 ZXMC3A16DN8TA
  • PDF ZXMC3A16DN8TA.pdf
DMP3130LQ-7

DMP3130LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3130LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 77mΩ@4.2A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3130LQ-7 系列 DMP3130LQ
  • PDF DMP3130LQ-7.pdf
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D9UWQ-7
  • 封装规格SOD-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 400mA 功率(Pd) 440mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@50mA,5V 封装 SOD-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D9UWQ-7 系列 DMN61D9UWQ
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2N7002VC-7

2N7002VC-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002VC-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 280mA 功率(Pd) 150mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002VC-7 系列 2N7002VC
  • PDF 2N7002VC-7.pdf
DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160UFDBQ-7
  • 封装规格DFN-6-EP(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 -20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 -3.8A -3.3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ @ VGS = -4.5V 85mΩ @ VGS = -2.5V 封装 DFN-6-EP(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UFDBQ-7 系列 DMP2160UFDBQ
  • PDF DMP2160UFDBQ-7.pdf
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SVTQ-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SVTQ-7 系列 DMN6040SVTQ
  • PDF DMN6040SVTQ-7.pdf
DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2008UFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 14A;54A 功率(Pd) 2.4W;41W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8mΩ@4.5V,12A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2008UFG-7 系列 DMP2008UFG
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