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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN4800LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 9A 功率(Pd) 1.46W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN4800LSS-13 系列 DMN4800LSS
  • PDF DMN4800LSS-13.pdf
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DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3007SCG-7
  • 封装规格V-DFN3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 2.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.8mΩ@10V,11.5A 封装 V-DFN3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3007SCG-7 系列 DMP3007SCG
  • PDF DMP3007SCG-7.pdf
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DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035UVTQ-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 7.2A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035UVTQ-7 系列 DMP2035UVTQ
  • PDF DMP2035UVTQ-7.pdf
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DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6066SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.7A 功率(Pd) 1.56W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 66mΩ@4.5A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6066SSS-13 系列 DMN6066SSS
  • PDF DMN6066SSS-13.pdf
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ZVN4106FTA

ZVN4106FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4106FTA
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 200mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4106FTA 系列 ZVN4106FTA
  • PDF ZVN4106FTA.pdf
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DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0LFDE-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.8V@250uA 电流 550mA 功率(Pd) 630mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0LFDE-7 系列 DMN30H4D0LFDE
  • PDF DMN30H4D0LFDE-7.pdf
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DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6004SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 3.9W；180W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.8mΩ@10V,90A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6004SK3-13 系列 DMTH6004SK3
  • PDF DMTH6004SK3-13.pdf
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DMN62D0U-7

DMN62D0U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 380mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4.5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0U-7 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-7.pdf
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DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3037LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3037LSS-13 系列 DMP3037LSS
  • PDF DMP3037LSS-13.pdf
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DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8LV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 450mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,200mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8LV-7 系列 DMN63D8LV
  • PDF DMN63D8LV-7.pdf
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DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1260UFA-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 360mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 366mΩ@200mA,4.5V 封装 DFN-3(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1260UFA-7B 系列 DMN1260UFA
  • PDF DMN1260UFA-7B.pdf
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2N7002E-7-F

2N7002E-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002E-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,250mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002E-7-F 系列 2N7002E
  • PDF 2N7002E-7-F.pdf
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DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC4035LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.5A；3.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC4035LSD-13 系列 DMHC4035LSD
  • PDF DMHC4035LSD-13.pdf
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DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4013LFGQ-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4013LFGQ-7 系列 DMP4013LFGQ
  • PDF DMP4013LFGQ-7.pdf
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DMN601TK-7

DMN601TK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601TK-7
  • 封装规格SOT-523-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 300mA 功率(Pd) 150mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-523-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601TK-7 系列 DMN601TK
  • PDF DMN601TK-7.pdf
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ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN2B01FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.1A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN2B01FTA 系列 ZXMN2B01FTA
  • PDF ZXMN2B01FTA.pdf
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DMP2160U-7

DMP2160U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 3.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,1.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160U-7 系列 DMP2160U DMP2160U-7
  • PDF DMP2160U-7.pdf
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DMP3010LK3-13

DMP3010LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3010LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 17A 功率(Pd) 1.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8mΩ@10V,10A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3010LK3-13 系列 DMP3010LK3
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DMN3150L-7

DMN3150L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3150L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 28V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3150L-7 系列 DMN3150L
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DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2038LVT-7
  • 封装规格TSOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.7A；2.6A 功率(Pd) 800mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V 封装 TSOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2038LVT-7 系列 DMC2038LVT
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