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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
ZVN3306FTA

ZVN3306FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3306FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 150mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3306FTA 系列 ZVN3306FTA
  • PDF ZVN3306FTA.pdf
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DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.2A；23.6A 功率(Pd) 1.9W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SK3-13 系列 DMPH6050SK3
  • PDF DMPH6050SK3-13.pdf
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DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0U-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 380mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0U-13 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP21D5UFB4-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 700mA 功率(Pd) 460mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 970mΩ@5V,100mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP21D5UFB4-7B 系列 DMP21D5UFB4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
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DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3200U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.2A 功率(Pd) 650mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,2.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3200U-7 系列 DMN3200U
  • PDF DMN3200U-7.pdf
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BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138-13-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138-13-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
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ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4525E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4525E6TA 系列 ZVN4525E6TA
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
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DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN60H080DS-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 80mA 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100Ω@60mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN60H080DS-7 系列 DMN60H080DS
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
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DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6016LFDF-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 8.9A 功率(Pd) 820mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,10A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6016LFDF-7 系列 DMT6016LFDF
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
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ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A17E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.3A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.3A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A17E6TA 系列 ZXMP6A17E6TA
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
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DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6185SEQ-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6185SEQ-13 系列 DMP6185SEQ
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
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DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3010LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 36A 功率(Pd) 2.18W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,10A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3010LPSQ-13 系列 DMP3010LPSQ
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
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BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS870-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS870-7-F 系列 BS870
  • PDF BS870-7-F.pdf
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DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2053UVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.6A；3.2A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5；74mΩ@3.5A,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2053UVT-7 系列 DMC2053UVT
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
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DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2088LCP3-7
  • 封装规格X2-DSN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 2.9A 功率(Pd) 1.13W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 88mΩ@8V,500mA 封装 X2-DSN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2088LCP3-7 系列 DMP2088LCP3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
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DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4466SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 1.42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 23mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4466SSS-13 系列 DMG4466SSS
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
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DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6008LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 13A；60A 功率(Pd) 2.2W；41W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6008LFG-7 系列 DMT6008LFG
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
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DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2123L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 72mΩ@4.5V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2123L-7 系列 DMP2123L
  • PDF DMP2123L-7.pdf
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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC21D1UDA-7B
  • 封装规格DFN-6(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 328mA；455mA 功率(Pd) 300mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 990mΩ@100mA,4.5；1.9Ω@100mA,4.5V 封装 DFN-6(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC21D1UDA-7B 系列 DMC21D1UDA
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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,115mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LDW-7 系列 DMN65D8LDW
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