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ISSI(美国芯成)

ISSI(美国芯成)

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写.1988年成立,专门设计\开发\销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件\网络设备\远程通讯和移动通讯设备\计算机外设等.公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司.ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国\欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国\欧洲\香港\中国\台湾\日本.共有雇员约500人.ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC\UMC\新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴.
IS34ML02G084-TLI

IS34ML02G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML02G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48-12.0mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 256M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌  ISSI(美国芯成)型号 IS34ML02G084-TLI
  • PDF IS34ML02G084-TLI.pdf
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IS37SML01G1-LLI

IS37SML01G1-LLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS37SML01G1-LLI
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS37SML01G1-LLI
  • PDF IS37SML01G1-LLI.pdf
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IS34ML01G084-TLI-TR

IS34ML01G084-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G084-TLI-TR
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G084-TLI-TR
  • PDF IS34ML01G084-TLI-TR.pdf
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IS34ML04G084-TLI

IS34ML04G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML04G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48-12.0mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML04G084-TLI
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IS34ML01G081-TLI

IS34ML01G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G081-TLI
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G081-TLI
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IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G081-TLI-TR
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G081-TLI-TR
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IS34ML04G081-TLI

IS34ML04G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML04G081-TLI
  • 封装规格TSOP-48
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48 NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML04G081-TLI
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IS21ES08G-JCLI-TR

IS21ES08G-JCLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS21ES08G-JCLI-TR
  • 封装规格VFBGA-153(11.5x13)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 64Gb 存储器组织 8G x 8 时钟频率 200 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS21ES08G-JCLI-TR
  • PDF IS21ES08G-JCLI-TR.pdf
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IS34ML01G084-TLI

IS34ML01G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48 NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G084-TLI
  • PDF IS34ML01G084-TLI.pdf
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IS21ES64G-JCLI

IS21ES64G-JCLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS21ES64G-JCLI
  • 封装规格VFBGA-153(11.5x13)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 512Gb 存储器组织 64G x 8 时钟频率 200 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS21ES64G-JCLI
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