关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
1N60L-T92-K DMG3404L-7 2N7002Q-7-F DMP2066LSN-7 DMN3150L-7
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 品牌 > HYNIX(海力士)
HYNIX(海力士)

HYNIX(海力士)

Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事：权吾哲.海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来.2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商.海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位.目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线.2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境.目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品.
H5TQ4G63EFR-RDC

H5TQ4G63EFR-RDC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ4G63EFR-RDC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 - 时钟频率 800MHz 电压 1.5V 工作温度 -0~+95℃ 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士)型号 H5TQ4G63EFR-RDC
  • PDF H5TQ4G63EFR-RDC.pdf
在线咨询
H5TQ4G83EFR-RDC

H5TQ4G83EFR-RDC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ4G83EFR-RDC
  • 封装规格FBGA-78
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800MHz 电压 1.5V 工作温度 -0~+95℃ 封装 FBGA-78 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TQ4G83EFR-RDC
  • PDF H5TQ4G83EFR-RDC.pdf
在线咨询
H5AN8G6NCJR-VKC

H5AN8G6NCJR-VKC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5AN8G6NCJR-VKC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 8Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.2V 工作温度 - 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5AN8G6NCJR-VKC
  • PDF H5AN8G6NCJR-VKC.pdf
在线咨询
H5AN4G6NBJR-VKC

H5AN4G6NBJR-VKC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5AN4G6NBJR-VKC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.2V 工作温度 0°~ 90° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5AN4G6NBJR-VKC
  • PDF H5AN4G6NBJR-VKC.pdf
在线咨询
H5TC4G63EFR-PBA

H5TC4G63EFR-PBA-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TC4G63EFR-PBA
  • 封装规格BGA-96(7.5x13)
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800M 电压 1.5V 工作温度 0°~ 90° 封装 BGA-96(7.5x13) DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TC4G63EFR-PBA
  • PDF H5TC4G63EFR-PBA.pdf
在线咨询
H5AN8G8NCJR-VKC

H5AN8G8NCJR-VKC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5AN8G8NCJR-VKC
  • 封装规格FBGA-78
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 8Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.2V 工作温度 0°~ 90° 封装 FBGA-78 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5AN8G8NCJR-VKC
  • PDF H5AN8G8NCJR-VKC.pdf
在线咨询
H5TQ4G63EFR-RDI

H5TQ4G63EFR-RDI-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ4G63EFR-RDI
  • 封装规格FBGA-78
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800M 电压 1.2V 工作温度 -40°~ 95° 封装 FBGA-78 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TQ4G63EFR-RDI
  • PDF H5TQ4G63EFR-RDI.pdf
在线咨询
H5TC4G63EFR-RDA

H5TC4G63EFR-RDA-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TC4G63EFR-RDA
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800M 电压 1.5V 工作温度 -40°~ 105° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TC4G63EFR-RDA
  • PDF H5TC4G63EFR-RDA.pdf
在线咨询
H5AN4G6NBJR-UHC

H5AN4G6NBJR-UHC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5AN4G6NBJR-UHC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.2V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士)型号 H5AN4G6NBJR-UHC
  • PDF H5AN4G6NBJR-UHC.pdf
在线咨询
H5TC2G63GFR-PBA

H5TC2G63GFR-PBA-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TC2G63GFR-PBA
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.35V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TC2G63GFR-PBA
  • PDF H5TC2G63GFR-PBA.pdf
在线咨询
H5TQ2G63GFR-RDC

H5TQ2G63GFR-RDC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ2G63GFR-RDC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.35V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士)型号 H5TQ2G63GFR-RDC
  • PDF H5TQ2G63GFR-RDC.pdf
在线咨询
H5TQ4G63EFR-TEC

H5TQ4G63EFR-TEC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ4G63EFR-TEC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800M 电压 1.5V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TQ4G63EFR-TEC
  • PDF H5TQ4G63EFR-TEC.pdf
在线咨询
H9HCNNN8KUMLHR-NME

H9HCNNN8KUMLHR-NME-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H9HCNNN8KUMLHR-NME
  • 封装规格BGA-200(10x15)
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 8Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.8V 工作温度 -20°~ 85° 封装 BGA-200(10x15) DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H9HCNNN8KUMLHR-NME
  • PDF H9HCNNN8KUMLHR-NME.pdf
在线咨询
H5TQ2G63GFR-TEC

H5TQ2G63GFR-TEC-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TQ2G63GFR-TEC
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.35V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TQ2G63GFR-TEC
  • PDF H5TQ2G63GFR-TEC.pdf
在线咨询
H5TC2G63GFR-PBK

H5TC2G63GFR-PBK-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TC2G63GFR-PBK
  • 封装规格FBGA-96
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 1.35V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-96 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H5TC2G63GFR-PBK
  • PDF H5TC2G63GFR-PBK.pdf
在线咨询
H5TC4G83EFR-PBA

H5TC4G83EFR-PBA-HYNIX(海力士)

  • 产品类型DDR SDRAM
  • 型号H5TC4G83EFR-PBA
  • 封装规格FBGA-78
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M*8 时钟频率 800M 电压 1.5V 工作温度 0°~ 95° 封装 FBGA-78 DDR SDRAM 品牌 HYNIX(海力士)型号 H5TC4G83EFR-PBA
  • PDF H5TC4G83EFR-PBA.pdf
在线咨询
H26M41208HPR

H26M41208HPR-HYNIX(海力士)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号H26M41208HPR
  • 封装规格FBGA-153
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 8Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -20°C ~ 85°C（TC） 封装 FBGA-153 NAND FLASH 品牌 HYNIX(海力士) 型号 H26M41208HPR
  • PDF H26M41208HPR.pdf
在线咨询
H26M41208HPRA

H26M41208HPRA-HYNIX(海力士)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号H26M41208HPRA
  • 封装规格FBGA-153
  • 品牌HYNIX(海力士)
  • 描述存储容量 8Gb 存储器组织 - 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -20°C ~ 85°C（TC） 封装 FBGA-153 NAND FLASH 品牌 HYNIX(海力士)型号 H26M41208HPRA
  • PDF H26M41208HPRA.pdf
在线咨询
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有