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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
3DD13005GRD

3DD13005GRD-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13005GRD
  • 封装规格TO-262-3
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 4A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 250mV@2A,500mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) 15@1A,5V 功率 50W频率 5MHz 晶体管类型 NPN 封装 TO-262-3 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13005GRD
  • PDF 3DD13005GRD.pdf
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3DD13009AN

3DD13009AN-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13009AN
  • 封装规格TO-3PN
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 12A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 450mV@8A,1.6A 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) - 功率 120W频率 4MHz 晶体管类型 NPN 封装 TO-3PN 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13009AN
  • PDF 3DD13009AN.pdf
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3DD13007X1

3DD13007X1-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13007X1
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 8A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 500mV@5A,1A 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) - 功率 80W频率 10MHz 晶体管类型 NPN 封装 TO-220AB-3 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13007X1
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3DD13009A8

3DD13009A8-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13009A8
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 12A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 450mV@8A,1.6A 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) - 功率 100W频率 4MHz 晶体管类型 NPN 封装 TO-220AB-3 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13009A8
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3DD13005C7D

3DD13005C7D-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13005C7D
  • 封装规格TO-126
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 4A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 300mV@2A,500mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) - 功率 50W 频率 5MHz 晶体管类型 NPN+PNP 封装 TO-126 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13005C7D
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3DD13003F6

3DD13003F6-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13003F6
  • 封装规格TO-126
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 1.5A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 300mV@1A,250mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) - 功率 50W频率 5MHz 晶体管类型 NPN 封装 TO-126 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13003F6
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3DD13003E6D

3DD13003E6D-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13003E6D
  • 封装规格TO-126
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 1.3A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 400mV@500mA,100mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) 15@200mA,5V 功率 40W频率 5MHz 晶体管类型 NPN+PNP 封装 TO-126 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13003E6D
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3DD13003E1D

3DD13003E1D-华润华晶

  • 产品类型三极管(BJT)
  • 型号3DD13003E1D
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌华润华晶
  • 描述集电极电流(Ic) 1.3A 电压 - 集射极击穿 400V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 400mV@500mA,100mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) 15@200mA,5V 功率 800mW 频率 5MHz 晶体管类型 NPN+PNP 封装 TO-92-3 三极管(BJT) 品牌 华润华晶 型号 3DD13003E1D
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