铠侠新NAND闪存工厂完工，瞄准2025年投产

8月1日,存储芯片制造商铠侠(Kioxia)宣布,其位于日本岩手县北上市的Fab 2(K2)工厂已于7月完工.作为铠侠在岩手县的第二家NAND闪存制造工厂,K2的建成标志着该公司在应对市场需求复苏方面迈出了重要一步.铠侠计划在2025年秋季开始K2工厂的运营,并表示将密切关注NAND闪存市场的趋势,逐步进行资本投资.

虽然K2工厂的NAND Flash生产线要到2025年才能投产,但铠侠透露,其旁边的行政大楼已经准备就绪,部分行政及工程部门将于2024年11月开始入驻办公,以监督Fab 2的生产设施运作.值得注意的是,根据2024年2月批准的计划,Fab 2的部分投资得到了日本政府的资金补贴.

今年早些时候,铠侠和西部数据宣布,其位于四日市和北上市的合资制造工厂已经获得了政府高达1500亿日元的补贴,用于支持最新一代3D NAND和下一代先进节点制程的生产.这也是铠侠与西部数据合资工厂第二次获得日本政府的补贴.早在2022年,双方位于四日市的工厂就已获得了929亿日元的政府补贴.

铠侠还表示,公司将致力于抓住NAND Flash闪存市场的机遇,以满足AI人工智能应用和数据中心日益增长的需求,并将在适当时机实施符合市场趋势的资本投资.这一战略显示出铠侠在推动技术创新和市场扩展方面的坚定决心.