三安半导体推进SiC项目，8英寸芯片量产在即

7月24日,三安半导体宣布芯片二厂M6B设备入场,标志着碳化硅(SiC)项目二期通线即将启动,为全面加速8英寸SiC产业布局奠定坚实基础.

三安半导体的湖南SiC项目总投资高达160亿人民币,旨在打造一个6英寸和8英寸兼容的SiC全产业链垂直整合量产平台.项目达产后,将具备年产36万片6英寸SiC晶圆和48万片8英寸SiC晶圆的制造能力.根据三安半导体的计划,预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8英寸SiC芯片将正式投产,湖南三安半导体将转型为8英寸SiC垂直整合制造商.

M6B设备入场是湖南三安SiC项目二期的重要进展,标志着8英寸SiC芯片量产进入倒计时.这一举措不仅将提升三安半导体在SiC市场的竞争力,还将推动国内SiC产业的发展.三安半导体的目标是通过垂直整合的生产方式,实现高效的SiC晶圆制造,满足市场对高性能功率半导体的需求.

与此同时,三安半导体在重庆的SiC项目也在稳步推进.重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币,项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线,具备年产48万片8英寸SiC衬底和车规级MOSFET功率芯片的制造能力,预计营收将达170亿人民币.此项目的成功实施,将进一步巩固三安半导体在全球SiC市场的领导地位.

随着电动汽车5G通信新能源发电等领域对高效能功率半导体的需求不断增加,SiC材料凭借其高耐压高频率和高温度特性,成为市场关注的焦点.三安半导体通过大规模投资和项目布局,抢占了这一关键市场的先机.湖南和重庆两个项目的推进,不仅有助于提升公司的技术实力和市场份额,还将推动中国SiC产业的整体发展,增强国内半导体产业链的自主可控能力.

三安半导体在湖南和重庆的SiC项目进展顺利,标志着公司在SiC市场的战略布局取得了重要突破.随着M6B设备的入场和8英寸SiC芯片的即将量产,三安半导体将进一步巩固其在全球SiC市场的领先地位,为中国半导体产业的崛起贡献力量.未来,三安半导体将继续加大研发投入,推动技术创新,助力全球电子产业的发展和变革.