安世半导体投资2亿美元扩建德国汉堡工厂，发力碳化硅和氮化镓半导体生产

安世半导体计划投资2亿美元开发碳化硅和氮化镓等下一代宽带隙半导体,并在德国汉堡工厂建立生产基础设施.

从2024年6月开始,安世半导体将在德国开发和生产三种工艺(SiCGaN和Si)器件,以满足对高效功率半导体的需求.

该投资还将用于德国汉堡工厂现有基础设施的自动化升级和8英寸晶圆的产能扩张,将在扩大无尘室面积的同时,新建研发实验室,确保从研究到生产的无缝过渡.

安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe称：未来,公司汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列,同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂.

安世半导体的汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列,并计划在未来两年内建成SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸生产线.