Soitec宣布，将与纯晶圆代工厂X-Fab开始合作，提供Soitec的SmartSiC技术用于生产碳化硅功率器件

来源：全球半导体观察整理

近日,Soitec宣布,将与纯晶圆代工厂X-Fab开始合作,在X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂提供Soitec的SmartSiC技术用于生产碳化硅功率器件.

此次合作是在评估阶段成功完成之后进行的,在此期间,X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圆上制造了碳化硅(SiC)功率器件.Soitec将通过联合供应链寄售模式为X-Fab的客户提供SmartSiC衬底的使用权.

据悉,Soitec正在其位于法国格勒诺布尔附近贝尔南的新工厂加大Smart SiC衬底的产量.而X-Fab正在拉伯克工厂提高SiC器件的生产能力.

碳化硅 (SiC) 是一种化合物半导体材料,具有固有特性,在功率应用中比硅具有卓越的性能和效率. 随着新能源汽车光储充等市场需求推动,SiC功率器件用量持续走高.据TrendForce集邦咨询研究,2023年全球SiC Power Device市场规模约30.4亿美元,至2028年有望上升至91.7亿美元,CAGR达25%.

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