三星电子：8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级

三星电子已完成8nm版本的eMRAM开发,并计划逐步推进制程升级.

eMRAM是一种基于磁性原理的非易失性的新型存储技术,具有更快的存取速度和更高的耐用性.

SCM(Storage Class Memory)是具有代表性的新型存储技术,它结合了DRAM和闪存的特点,有望解决DRAM存储器容量小易失性和高成本等问题.

AI浪潮之下,高容量高性能存储产品的重要性不断凸显,HBM无疑是当前最受关注的产品,市况供不应求,产值持续攀升.

铠侠和字节跳动等公司也在新型存储领域有所动作,如铠侠计划培养SCM等新型存储产品业务,字节跳动投资国内存储芯片公司昕原半导体.

3月媒体报道,字节跳动投资国内存储芯片公司昕原半导体,成为该公司的第三大股东.

TrendForce集邦咨询预测,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%.

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