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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

意法半导体(ST)集团于1987年6月成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成.1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司.意法半导体是世界最大的半导体公司之一,公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡(五大市场占2007年销售收入的百分比)：通信(35%),消费(17%),计算机(16%),汽车(16%),工业(16%). 据最新的工业统计数据,意法半导体是全球第五大半导体厂商,在很多市场居世界领先水平.例如,意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商,世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商,而且在分立器件\手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列.
STL20N6F7

STL20N6F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL20N6F7
  • 封装规格VDFN-8-Power
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL20N6F7封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)100A功率(Pd)3W；78W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.4mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@25V工…
  • PDF STL20N6F7.pdf
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STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD3NK80ZT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK80ZT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
  • PDF STD3NK80ZT4.pdf
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STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP20NK50Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NK50Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
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STF5N80K5

STF5N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF5N80K5
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF5N80K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)177pF@100V反向传输电容(…
  • PDF STF5N80K5.pdf
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STL3NM60N

STL3NM60N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL3NM60N
  • 封装规格PowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL3NM60N封装PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA（Ta），2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最…
  • PDF STL3NM60N.pdf
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STP80NF06

STP80NF06-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP80NF06
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF06封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
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STP11NK40ZFP

STP11NK40ZFP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP11NK40ZFP
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11NK40ZFP封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP11NK40ZFP.pdf
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STD6NF10T4

STD6NF10T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD6NF10T4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6NF10T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度-65℃~+…
  • PDF STD6NF10T4.pdf
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STW12NK90Z

STW12NK90Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW12NK90Z
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW12NK90Z封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)230W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)880mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)152nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.5nF@25V工作…
  • PDF STW12NK90Z.pdf
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STW20N95K5

STW20N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW20N95K5
  • 封装规格TO-247
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20N95K5封装TO-247类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)17.5A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)330mΩ@9A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V反向传输…
  • PDF STW20N95K5.pdf
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STP150N10F7

STP150N10F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP150N10F7
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP150N10F7封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V工作…
  • PDF STP150N10F7.pdf
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STFW3N170

STFW3N170-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STFW3N170
  • 封装规格TO-3PF-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STFW3N170封装TO-3PF-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.7kV连续漏极电流(Id)2.6A功率(Pd)63W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V工作温度…
  • PDF STFW3N170.pdf
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STF10N95K5

STF10N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF10N95K5
  • 封装规格TO-220FP-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF10N95K5封装TO-220FP-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V反向传输…
  • PDF STF10N95K5.pdf
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STE145N65M5

STE145N65M5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STE145N65M5
  • 封装规格ISOTOP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STE145N65M5封装ISOTOP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)143A功率(Pd)679W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@69A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)414nC@10V输入电容(Ciss@Vds)18.5nF@100V
  • PDF STE145N65M5.pdf
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STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP7NK80ZFP
  • 封装规格TO-220FPAB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP7NK80ZFP封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)5.2A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,2.6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.138nF@25…
  • PDF STP7NK80ZFP.pdf
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STP20NM60FP

STP20NM60FP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP20NM60FP
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NM60FP封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V反向传输…
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STP80NF10

STP80NF10-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP80NF10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)182nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.5nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP80NF10.pdf
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STD10P10F6

STD10P10F6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD10P10F6
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P10F6封装TO-252-2FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 5A，10V…
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STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB120NF10T4
  • 封装规格D2PAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB10N95K5
  • 封装规格D2PAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
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